RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3778
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link