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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
43
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2615
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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