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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3310
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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