RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3110
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-044.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link