RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3729
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link