RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3137
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link