RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3413
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link