RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3413
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link