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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3419
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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