RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3419
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link