RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
44
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
44
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
1660
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link