RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
1660
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link