RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2527
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link