RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2527
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link