RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
71
En -274% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3801
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link