RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
71
Rund um -274% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3801
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link