RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
19.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
4322
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link