RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4322
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link