RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
71
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3925
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link