RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3925
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link