RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
71
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3246
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link