RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3246
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link