RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3246
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link