RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2855
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link