RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2001
2855
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link