RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link