RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link