RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
71
En -223% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2566
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link