RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
68
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
68
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2007
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link