RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
71
En -137% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3473
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link