RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
71
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
51
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2387
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link