RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
71
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2387
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link