RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
71
En -184% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2695
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link