RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
71
En -209% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2103
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.D8F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link