RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
71
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2103
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link