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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
71
En -129% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2330
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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