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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2330
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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