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Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Compara
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
47
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2055
2034
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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