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Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Comparar
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
47
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
11.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
47
43
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2055
2034
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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