RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
77
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
5.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
INTENSO M418039 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link