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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
77
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1440
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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