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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
77
周辺 62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
13.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
5.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
77
読み出し速度、GB/s
13.4
13.1
書き込み速度、GB/秒
9.0
5.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
1440
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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