RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
71
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
1863
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link