RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
71
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
71
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
1863
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link