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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2932
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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