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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2641
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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