RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
バグを報告する
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 33
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    8.0 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1911 left arrow 2641

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAMの比較

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM