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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2641
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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