RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2641
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link