RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
69
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1598
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link