Comparación de la memoria RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Puntuación global

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

35 52

En 33% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 13.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 9.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2312 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns